长鑫标准DRAM第四代工艺已完成切换，良率估超90%。
长鑫已将high-k材料用于G4（16nm级）DRAM量产产品，并进入HBM2E风险量产。
长鑫与长存合计在2Q26进入千亿美元以上年化运行率，同比增长近9倍。
长鑫存储HBM良率停滞在约25%，TSV技术不成熟是主因。
那还不是服务器级产品，认证还需要更多时间。
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