Micron Technology· 个股全景研究与每日社媒动态

韩国卖方由空转多DRAM，认为美国超大规模厂商库存偏低，4Q26混合DRAM价格环比涨约10%。

瓶颈依旧是DRAM，其次是NAND。

存储资本开支2026年预计970亿美元、2027年升至1460亿美元，占半导体总资本开支56%。

我们早就看多闪迪和美光并已兑现，别人等回调，我们等更高的涨幅。

美光将把HBM产能翻倍，年底前月产能增至约10万片晶圆，缩小与三星、SK海力士的差距。

HBM堆叠层数下调是为让供给更有弹性，但并不意味着HBM本身变得不稀缺，稀缺性转向pin speed维度。